招標(biāo)編號: | ZUPC-JZ -0907004 |
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加入日期: | 2009.06.26 |
截止日期: | 2009.07.01 |
地 區(qū): | 杭州市 |
內(nèi) 容: | 高溫高真空直流射頻混合磁控濺射臺(tái) 一臺(tái) 主要技術(shù)要求: 1 、基片尺寸: ≤Φ3 英寸。 2 、基片加熱溫度:室溫~ 1000℃ 。溫度可用電腦編程控制,可控可調(diào)。 3 、電懸浮基片架:可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可升降。 4 、 Ф2 英寸磁控濺射永磁靶,靶頭可調(diào)角度;可鍍鐵磁材料的磁控濺射靶 1 支,可鍍普通靶材的磁控濺射靶 2 支。 5 、極限真空: 10-6Pa ,關(guān)機(jī) 12 小時(shí)真空度 ≤10Pa 。 6 、磁控濺射靶電源: 2 個(gè)射頻源 500W ;一個(gè)直流濺射電源 500W 。 7 、質(zhì)量流量控制器:氬氣( 100sccm )、氧氣( 50sccm )、氮?dú)猓?200sccm )。 8 、缺水欠壓檢測與保護(hù)、強(qiáng)電相序檢測與保護(hù)、溫度檢測與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測與保護(hù)。 9 、 PLC 可編程智能電腦控制系統(tǒng),配液晶觸摸屏。 |